Micron Technology
IC DRAM 8G PARALLEL 208MHZ (MT46H256M32L4LE-48 WT:C)
Part Number: MT46H256M32L4LE-48 WT:C
Documents / Media: datasheets MT46H256M32L4LE-48 WT:C
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: DRAM
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
- Объем памяти: 8Gb (256M x 32)
- Скорость: 208MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: 14.4ns
- Время доступа: 5.0ns
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.95 V
- Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TA)
- Вид монтажа: -
- Корпус: -
- Исполнение корпуса: -
Цена по запросу